「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容來自kedglobal，謝謝。全球頂級高帶寬內存芯片製造商計劃採用 HBM5 芯片的垂直內存堆疊技術。全球最大的 DRAM 內存芯片製造商SK 海力士公司計劃從其第五代高帶寬內存（HBM5）中引入真正的 3D HBM，旨在重新定義人工智能內存芯片的競爭格局。SK海力士的一位高管在週四的技術研討會上表示，這家韓國芯片製造商正在積極研究 3D HBM 的實現，一種變革性的架構，其中 DRAM 芯片位於圖形（GPU）的頂部，而不是放在其旁邊。SK海力士副總裁兼封裝開發部門負責人李康旭海力士副總裁兼封裝開發部門負責人李康旭在電子和信息工程師協會年會上的主題演講中表示：“在GPU上垂直查看DRAM可能會遊戲規則。”他表示，架構上的飛躍將顯着減少數據傳輸延遲，同時提高帶寬和功率效率，這其實是性能要求高的人工智能行業的關鍵指標。該公司的HBM路線圖，將從3D HBM推出，HBM5開始——該產品仍然領先幾代。SK海力士目前在HBM開發方面處於行業領先地位，其 HBM3E 芯片已投入量產，HBM4 預計將於今年晚些時候推出，HBM4E 將於 2026 年推出。他表示，HBM5 中可能會引入 3D，預示着該公司將採取長期戰略，確保在生成 AI 模型所需的存儲芯片式技術優勢。炙手可熱的 AI 芯片市場隨着芯片微型化變得更加困難，3D芯片封裝技術的競爭也愈演愈烈。SK海力士的同城競爭對手三星電子同時研發3D芯片封裝技術，以努力追趕代工或芯片代工領域的領先者臺灣半導體制造公司（TSMC）。SAINT（三星先進互連技術）計劃將GPU芯片（包括AI芯片）所需的內存和處理器集成到更小的尺寸中。首爾芯片峯會SEDEX 2024上SK海力士展位上展示的AI視頻封裝是半導體制造的最後步驟之一，將芯片裝入保護殼中以防止腐蝕，並提供接口來組合和連接已製成的芯片。臺積電、三星和英特爾等領先的芯片製造商正在爭相競爭先進的封裝技術，這種技術可以集成不同的半導體或垂直互連多箇芯片。先進的封裝可以將多箇器件封裝並封裝爲單個電子設備。半導體封裝技術可以提高性能，而進而通過超精細加工縮小到納米級，這在技術上已具備，而且需要更多時間。鍵合SK海力士引進混合李健熙表示，該公司還計劃從HBM4E代開始引入混合鍵合技術，該技術將用於20層以上的DRAM芯片。在16層的第六代HBM（HBM4），該公司使用MR-MUF技術，該技術涉及用微凸塊連接DRAM層之前，並用液體材料填充透明。不過，他表示，20層以上開始，鍵合至關重要。按鍵合通過銅對銅接觸直接混合連接半導體層，覆蓋微凸塊，可實現芯片更薄、筆記本性能更好。該公司預計，新的關鍵合方法將在性能和能效方面帶來進一步優勢。除了硬件創新之外，SK海力士還在積極爭取其先進的2納米工藝節點的客戶。韓國人工智能芯片公司DeepX就是其中之一，該公司最近簽約成爲其2納米工藝節點之一，這一里程碑凸顯了SK海力士在韓國人工智能半導體生態系統中迫切增長的作用。DeepX專注於嵌入在物理安全、機器人、家用電器、智能移動和智能相機等應用中的人工智能半導體。潛在正值全球人工智能芯片供應鏈競爭激烈的競爭之際，英偉達、臺積電、三星和美光科技等行業競相在對大型語言模型和高性能計算重要的內存技術方面獲得性能和規模優勢。https://www.kedglobal.com/us/korean-chipmakers/newsView/ked202504180004半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4099期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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